Skip to content
Bạn đang ở: Trang chủ Trang chủ Cơ sở vật chất Thiết bị cho PTN Công nghệ Vi hệ thống và cảm biến Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao (RIE-SYSTEM)
Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao (RIE-SYSTEM) In Email
Viết bởi Admin   
Thứ ba, 26 Tháng 4 2011 10:04

Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao (RIE-SYSTEM)

Mô tả thiết bị:

  • Ăn mòn sâu Si, đường kính phiến 100 mm

  • Hãng sản xuất: SAMCO, JAPAN.

  • Năm sản xuất: 2007. Năm lắp đặt và sử dụng: 2008

Thông số kỹ thuật:

  • Chân không tối đa: 3. 10-7 Torr. 1 buồng

  • Công suất nguồn Plasma 500W, 13,65 MHz

  • Công suất ICP plasma 1000 W

  • Nhiệt độ đế:-150 đến 200 oC

  • Khí: SF6, C4H8, O2, Ar và N2

Cán bộ phụ trách

                PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng

Từ khóa: Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao, RIE-SYSTEM

 

 

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?