|
Sputter system
Công dụng
Chế tạo màng mỏng đơn và đa lớp. Máy phún xạ cathod trong phòng sạch có
thể tạo các màng mỏng từ các vật liệu nguồn bất kỳ. Đèn thạch anh đảm
bảo trước quá trình phún xạ tạo màng các phần tử nước bị đuổi hết ra
khỏi bề mặt mẫu.
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Chân không tối đa: 3x10-7 Torr, bơm turbo.
2 Gun, 1 đế quay, 1 nguồn cao tần công suất 500W, 1 nguồn DC công suất
750W
Có load-lock, đèn halogen đốt đế (nhiệt độ tối đa 450 độ C).
|
 |
Oxygen Plasma
Công dụng
Ăn mòn SiO2, Si3N4…
Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 2005
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Chân không tối đa: 1. 10-3 Torr.
2 buồng, 1 nguồn cao tần công suất 500W
|
 |
RIE system
Công dụng:
(Dry silicon etching, wafer through )
Ăn mòn sâu Si, đường kính phiến 100 mm
Hãng sản xuất: SAMCO, JAPAN.
Năm sản xuất: 2007. Năm lắp đặt và sử dụng: 2008
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Chân không tối đa: 3. 10-7 Torr. 1 buồng
Plasma power 500 W, 13,65 MHz
ICP plasma power 1000 W
Nhiệt độ đế:-150 đến 200 oC
Khí: SF6, C4H8, O2, Ar và N2
|
 |
Oxidation Furnace
Công dụng:
Tạo các lớp ôxít silic chất lượng cao trong môi trường ôxi khô.
Ký mã hiệu: Tempress 261.
Nước sản xuất: Hà lan
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Nhiệt độ tối đa: 1200°C, ±5°C
Trong môi trường khí N2, O2
Lập trình, điều khiển t ừ 40 -1200 C
|
 |
3 stack Furnace
Công dụng:
Khuếch tán tạp chất ở nhiệt độ cao trong các chất bán dẫn.
Oxi hoá ở nhiệt độ cao ở cả môi trường ôxy khô và ôxy ẩm
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Nhiệt độ tối đa: 1200°C, ±5°C
Trong môi trường khí N2, O2, hơi H2O
Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí
|
 |
LPCVD system
Công dụng:
Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon.
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C,
Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí
|
 |
4 - point probe Unit
Công dụng:
Đo kiểm tra điện trở màng mỏng
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Đo điện trở từ 1 mOhm
|
 |
Ellipsometery Unit
Công dụng:
Đo kiểm tra chiều dày màng mỏng SiO2, Si3N4…
Hãng sản xuất: MTA-KFKI, Hungary
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Sử dụng nguồn laser 632,8 nm
Góc đo 0 – 900
Sai số độ dày đo: 2 nm
Đường kính đế tối đa 150 mm
|
 |
Balance Unit
Công dụng:
Cân kiểm tra trọng lượng mẫu
Thông số kỹ thuật chủ yếu:
Cân từ 0 – 160 g
Sai sô ±0.02 mg
|
 |
Alpha - Step Unit
Công dụng:
Đo bề dầy màng mỏng trên các vật liệu khác nhau
Hãng sản xuất: KLA Tencor - Mỹ
Năm sản xuất 1994
Thông số kỹ thuật cơ bản:
Phương pháp đo: quét hai chiều
Chế độ lấy bậc: tự động hoặc bằng tay
Kích thước mẫu : 1 cm2 đến 10 cm2
|
 |
Hot plate Unit
Công dụng:
Ủ nhanh các loại vật liệu màng mỏng, Photoresist…
Hãng sản xuất: PMC - Mỹ
Năm sản xuất 1994
Thông số kỹ thuật cơ bản:
Nhiệt độ tối đa: 400 0C
|
 |
Spinner Unit
Công dụng:
Tạo màng mỏng bằng phương pháp quay phủ
Hãng sản xuất: TANAKA - JAPAN
Năm sản xuất 2005
Đưa vào sử dụng: 2005
Thông số kỹ thuật cơ bản:
10 chương trình quay phủ
|
 |
Align System
Công dụng:
Chế tạo các cấu trúc, hình dạng cho các lớp của linh kiện vi điện tử.
Là thiết bị được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ
trong PS.
Hãng sản xuất: Carl Suss – GERMANY.
Chỉ tiêu kỹ thuật:
Năng suất phân giải 5 micro met.
So mask một mặt.
|
 |
Double Side Align System PEM-800
Công dụng:
Là thiết bị đặc biệt cho công nghệ MEMS
Chế tạo các cấu trúc, hình dạng cho các lớp của linh kiện vi điện tử.
Là thiết bị được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ
trong PS.
Hãng sản xuất: UNION – JAPAN.
Chỉ tiêu kỹ thuật:
Năng suất phân giải 2 Micro met.
So mask hai mặt.
|
 |
Microscope Unit
Công dụng:
Kiểm tra bề mặt mẫu
Hãng sản xuất: NIKON – JAPAN.
Chỉ tiêu kỹ thuật:
Độ phóng đại từ 10x – 100x.
|
 |
Ultrasonic Bath
Công dụng:
Rung rửa mẫ bằng sóng siêu âm
Hãng sản xuất: Cole-Parmer – GERMANY.
Chỉ tiêu kỹ thuật:
Kích thước bể rửa: 15 x 30 cm
|
 |
Wet bench System
Công dụng:
Rửa mẫu, pha hóa chất….
Là nơi được sử dụng thường xuyên trong suốt các quá trình công nghệ
trong PS.
Chỉ tiêu kỹ thuật:
4 ngăn đựng hóa chất
Một bể rửa nước DI water
Một vòi xịt nước DI water
Một bếp đun hóa chất
|
 |
DI water System
Công dụng:
Tạo ra nước siêu tinh khiết có nồng độ ion cực thấp, và điện trở cực cao,
dùng trong công nghệ vi điện tử.
Hãng sản xuất: REMCO – USA.
Nước siêu sạch tại trung tâm ITIMS còn rất thích hợp cho các trung tâm
phân tích công cụ (đặc biệt là các phương pháp cực phổ)
Chỉ tiêu kỹ thuật:
Công suất 40 l/giờ
Độ sạch: 18 MW.cm
|
 |
Phòng thí nghiệm 
