Skip to content
Bạn đang ở: Trang chủ Giới thiệu Cơ sở vật chất TB ngành bán dẫn Hệ đo điện trở bề mặt bằng phương pháp bốn mũi dò (surface resistance)
Hệ đo điện trở bề mặt bằng phương pháp bốn mũi dò (surface resistance)
Thứ ba, 16 Tháng 9 2008 16:46

Hệ đo điện trở bề mặt bằng phương pháp bốn mũi dò (surface resistance)

Mô tả thiết bị:

Đo kiểm tra điện trở màng mỏng, xác định điện trở bề mặt của các phiến Silicon theo phương pháp bốn mũi dò.

Qua sự so sánh điện trở đo được cho phép kết luận có/hay không sự khuếch tán của hạt tải (p hoặc n) vào trong phiến hay không người ta sử dụng thiết bị dùng để đo điện trử bề mặt của phiến silic trước và sau quá trình khuếch tán. Nếu điện trở đo được sau khuếch tán nhỏ hơn điện trở của phiến silic trước quá trình này thì có thể kết luận có sự khuếch tán, các hạt tải đã khuếch tán vào đế silic. Thông thường quá trình khuếch tán này tạo nên các lớp chuyển tiếp P-N trong đế silic. Hãng sản xuất: ĐH Twente, Hà Lan.                                                          

Thông số kỹ thuật:

Đo điện trở từ 1 mOhm

Người phụ trách: KTV. Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: Hệ đo điện trở bề mặt, phương pháp bốn mũi dò, surface resistance, 4-point- probe Unit.

 

 

 

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?