Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao (RIE-SYSTEM)

Mô tả thiết bị:

• Ăn mòn sâu Si, đường kính phiến 100 mm

• Hãng sản xuất: SAMCO, JAPAN.

• Năm sản xuất: 2007. Năm lắp đặt và sử dụng: 2008

Thông số kỹ thuật:

• Chân không tối đa: 3. 10-7 Torr. 1 buồng

• Công suất nguồn Plasma 500W, 13,65 MHz

• Công suất ICP plasma 1000 W

• Nhiệt độ đế:-150 đến 200 ^oC

• Khí: SF₆, C₄H₈, O₂, Ar và N₂

Cán bộ phụ trách: 

                PGS. TS. Vũ Ngọc Hùng

Từ khóa: Hệ thống ăn mòn khô Plasma mật độ cao, RIE-SYSTEM