Skip to content
Bạn đang ở: Trang chủ Giới thiệu Cơ sở vật chất TB ngành bán dẫn Hệ tạo màng bằng phương pháp lắng đọng hơi hoá học ở áp suất thấp (LPCVD)
Hệ tạo màng bằng phương pháp lắng đọng hơi hoá học ở áp suất thấp (LPCVD)
Thứ ba, 16 Tháng 9 2008 15:34

Hệ tạo màng bằng phương pháp lắng đọng hơi hoá học ở áp suất thấp (LPCVD)

 Mô tả thiết bị:

  • Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon. Tạo các màng mỏng đa tinh thể và vô định hình của Silic và oxít silic, silic nitrit.

  • Hãng sản xuất: Tempress. Nước sản xuất: Hà lan

  • Năm sản xuất: 1998. Năm lắp đặt và sử dụng: 1999

Thông số kỹ thuật:

Nhiệt độ tối đa: 1200°C,±5°C,
Có thể điều khiển và lập trình hệ thống phân phối khí

Cán bộ phụ trách:

KTV.
Nguyễn Văn Toán

Từ khóa: LPCVD System, Lắng đọng màng mỏng Si3N4, polysilycon

 

Mặt trước

 



Mặt sau

 

 

 

Tiếng Việt (Việt Nam)   English (United States)


Thời khóa biểu
Lịch làm việc học viên ITIMS

Lịch công tác ĐHBKHN
Lịch công tác ĐHBKHN

Thăm dò ý kiến

Theo bạn, Việt Nam cần đầu tư vào lĩnh vực nào dưới đây để tăng tốc độ phát triển?