[Giới thiệu nhm] [Tin tức ] [Thiết bị GD] [Phần cứng GD] [Phần mềm GD] [Lin hệ] [Bản đồ site]
|
|
|
|
|
[Giới thiệu nhm] [Tin tức ] [Thiết bị GD] [Phần cứng GD] [Phần mềm GD] [Lin hệ] [Bản đồ site] |
||
| Phần mềm GDBVMT | Phần mềm KHVL | Phần mềm thí nghiệm ảo thực tập về KH&CNVL |
|
Cảm biến Gia tốc | Cảm biến pH(IFETS) | Linh kiện điện huỳnh quang (tụ MOS) |
| Nguyên lý hoạt động | Ý nghĩa & Ứng dụng | Qui trình chế tạo | Trắc nghiệm |
|
Qui trình công nghệ chế tạo linh kiện điện huỳnh quang kiểu tụ
MOS gồm 14 bước. Các bước được tiến hành hoàn toàn trong điều kiện phòng sạch (cleanroom)
dưới điều kiện chuẩn và yêu cầu khắt khe về độ sạch. Người tiến hành chế tạo cần
tuân thủ chính xác các yêu cầu nghiêm ngặt và thao tác theo từng bước cũng
như từng giai đoạn công nghệ trong mỗi bước. |
| Bước 1 Rửa phiến nhằm làm sạch phiến Silic trước khi tiến hành gia công | è |
|
|
|
ç | Bước 2 Ô xy hóa ẩm nhằm tạo một lớp màng ôxít trên bề mặt phiến. |
| Bước 3 Quang khắc Mask 1 : định hình linh kiện tụ MOS | è |
|
|
|
ç | Bước 4 Ô xy hóa khô |
| Bước 5 Phủ vật liệu phát quang (SOD spin coating) khuyếch tán nguồn SOD | è |
|
|
|
ç | Bước 6 Quang khắc Mask 2: Định hình cấu trúc tụ MOS |
| Bước 7 Ăn mòn lớp SOD | è |
|
|
|
ç | Bước 8 Tẩy lớp PhotoRegist, ủ nhiệt 900o C trong môi trường khí N2 |
| Bước 9 Bốc bay nhôm tạo lớp điện cực tiếp xúc | è |
|
|
|
ç | Bước 10 Quang khắc Mask 3: Định hình dạng các điện cực của linh kiện nằm ở mặt trên phiến |
| Bước 11 Ăn mòn nhôm tạo lớp điện cực trên | è |
|
|
|
ç | Bước 12 Quang khắc Mask 4: Định hình dạng các điện cực của linh kiện nằm ở mặt dưới phiến. |
| Bước 13 Ăn mòn nhôm tạo lớp điện cực dưới | è |
|
|
|
ç | Bước 14 Ủ nhôm: tạo lớp điện cực bảo vệ |
Copyright © 6-2005 ITIMS- ITSoft Group. All rights reserved.
Copyright Policy.
Liên hệ :Nhóm Tin học Ứng dụng, viện ITIMS, ĐHBK Hà nội, 1 Đại Cồ Việt,
Hà nội, Việt nam.
Tel: 0804 8680786 (xin số
402); Fax: 0804 8692963; Email:
Vũ Anh Minh (minh@itims.edu.vn)
http://www.itims.edu.vn
